CVD气相沉积炉是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。

这种技术Z初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。

气相沉积炉这种技术刚开始发展时是作为涂层的手段而开发的，但是目前随着发展已经不只是应用于耐热物质的涂层了，现在应该已经应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个还比较广泛的领域。

气相沉积炉反应室的压力、气体的流动速率、晶片的温度等反应中间起的作用都是沉积参数的变化范围，所以考虑到沉积薄膜中的变数、以及沉积速率决定着反应室的产出量，反应生成的膜不仅会沉积在晶片上，也会沉积在反应室的其他部件上，所以对反应室进行彻底清洗的程度也是重要。

气相沉积炉是传统的制备薄膜的技术，它的原理就是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间的化学反应，在晶片上形成薄膜。气相沉积能够生产出具备高质量高纯度以及高强度等优点的材料，因此在半导体行业很受欢迎。